技術(shù)編號：12820498
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，且特別涉及一種降低閃存源端導(dǎo)通電阻的方法。背景技術(shù)閃存(Flashmemory)是基于EPROM，EEPROM發(fā)展起來的一種新型非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，它具有價格便宜、工藝相對簡單、可方便快速的進(jìn)行多次擦寫的特點(diǎn)，自問世以來，閃存在存儲領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，主要應(yīng)用于便攜式設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)及汽車電子領(lǐng)域。Norflash依靠熱電子注入的方式來存儲數(shù)據(jù)，即電子在溝道中被漏端和源端的橫向電場加速，在漏端附近形成熱電子，通過聲子散射，在柵極縱向電場的作用下，部分電子會通...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。