技術(shù)編號：12817533
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于金屬基板拋光后的清洗液及其使用方法。背景技術(shù)金屬材料如銅，鋁，鎢等是集成電路中常用的導(dǎo)線材料。在制造器件時(shí)，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)成為晶片平坦化的主要技術(shù)。金屬化學(xué)機(jī)械拋光液通常含有研磨顆粒、絡(luò)合劑、金屬腐蝕抑制劑、氧化劑等。其中研磨顆粒主要為二氧化硅、三氧化二鋁、摻雜鋁或覆蓋鋁的二氧化硅、二氧化鈰、二氧化鈦、高分子研磨顆粒等。在金屬CMP工序以后，晶片表面會受到金屬離子以及拋光液中研磨顆粒本身的污染，這種污染會對半導(dǎo)體的電氣特性以及器件的可靠性產(chǎn)生影響。而且，金屬離子和研磨顆...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。