技術(shù)編號：12812953
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于無機納米材料制備領(lǐng)域，特別涉及一種超薄鉬酸鎂納米片陣列及其制備方法。背景技術(shù)超薄二維納米材料具有獨特的二維結(jié)構(gòu)以及比表面積大、機械性能和導電性優(yōu)等特點，在鋰離子電池、超級電容器及光催化等領(lǐng)域有重要的應用。近年來，由于納米片陣列優(yōu)異的性能，使其在光伏器件、發(fā)光二極管、氣體傳感器和電化學電池的電極材料等方面應用越來越廣泛，因此形貌規(guī)整的納米片陣列的可控合成引起了人們的高度關(guān)注。在目前的報道中，納米片陣列制備主要是基底合成，如中國專利CN104868112A公開了一種碳包覆的二氧化鈦納米片陣...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。