技術(shù)編號(hào):12806980
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鰭式晶體管的形成方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體器件朝著更高的元件密度,以及更高的集成度的方向發(fā)展。晶體管作為最基本的半導(dǎo)體器件目前正被廣泛應(yīng)用,因此隨著半導(dǎo)體器件的元件密度和集成度的提高,平面晶體管的柵極尺寸也越來越短,傳統(tǒng)的平面晶體管對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)?,產(chǎn)生短溝道效應(yīng),產(chǎn)生漏電流,最終影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。為了克服晶體管的短溝道效應(yīng),抑制漏電流,現(xiàn)有技術(shù)提出了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種常見的多...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。