技術(shù)編號：12806918
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制備工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種制備高密度鎳納米顆粒的方法，適用于非揮發(fā)性薄膜晶體管存儲器中的電荷存儲媒介。背景技術(shù)在納米晶非揮發(fā)性薄膜晶體管存儲器領(lǐng)域，由于金屬納米顆粒具有在費(fèi)米能級附近有著較高的態(tài)密度、功函數(shù)選擇范圍廣、載流子限制效應(yīng)引起的能量擾動小等優(yōu)點(diǎn)，因此采用金屬納米顆粒作為電荷俘獲中心具有很好的應(yīng)用前景。鎳作為一種金屬，具有較大的功函數(shù)(5.2eV)，若采用鎳納米顆粒作為電荷俘獲中心，則在隧穿層和阻擋層之間能得到較大的勢阱深度，從而有效地阻止電荷的流失，因此為存儲器提供...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。