技術(shù)編號：12802873
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子器件及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種改善三維集成阻變存儲器的耐久性(endurance)的方法。背景技術(shù)器件在電壓作用下工作時，由于焦耳熱的作用將導(dǎo)致器件自身溫度發(fā)生變化，因此，由焦耳熱引起的熱效應(yīng)在半導(dǎo)體器件中是一種普遍現(xiàn)象。半導(dǎo)體器件中不同的材料受熱后其膨脹系數(shù)不同，器件內(nèi)部的熱應(yīng)力將分布不均。隨著三維(3D)集成阻變存儲器(RRAM)集成度的不斷提高，存儲單元數(shù)量急劇增加，這種由焦耳熱引起的熱效應(yīng)將會變得更加嚴(yán)重。因此，隨著集成度的不斷增加，三維集成RRAM將面臨最大的挑戰(zhàn)是...
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