技術(shù)編號(hào)：12788047
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)通常MOS晶體管由半導(dǎo)體襯底、源極區(qū)和漏極區(qū)、柵氧化層以及柵電極等幾個(gè)主要部分組成，源極區(qū)和漏極區(qū)對(duì)稱(chēng)分布于柵電極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中，其基本結(jié)構(gòu)一般是一個(gè)四端器件，它的中間部分是由金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu)，MOS電容的兩側(cè)分別是源極區(qū)和漏極區(qū)，在正常的工作狀態(tài)下，載流子從源極區(qū)流入，從漏極區(qū)流出，絕緣層上為柵極，在柵極上施加電壓，可以改變絕緣層中的電場(chǎng)強(qiáng)度，控制半導(dǎo)體表面電場(chǎng)，從而改變半導(dǎo)體表面溝道的導(dǎo)電能...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。