技術(shù)編號：12788028
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。背景技術(shù)集成電路性能的提高主要是通過不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來實(shí)現(xiàn)的。目前，由于半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)進(jìn)步到納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，特別是當(dāng)半導(dǎo)體器件尺寸降到22nm或以下時，來自制造和設(shè)計(jì)方面的挑戰(zhàn)已經(jīng)促進(jìn)了三維設(shè)計(jì)如鰭片場效應(yīng)晶體管(FinFET)的發(fā)展。相對于現(xiàn)有的平面晶體管，所述FinFET器件在溝道控制以及降低淺溝道效應(yīng)等方面具有更加優(yōu)越的性能；平面柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述溝道上方，而在FinFET中所述柵極環(huán)繞...
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