技術(shù)編號(hào)：12752435
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種二茂鎂的生產(chǎn)裝置。背景技術(shù)太陽能電池、激光器、超高亮度發(fā)光管等光電器件由于具有壽命長、可靠性高、光電效率高、低能耗等特點(diǎn)而擁有巨大的市場(chǎng)需求，GaN、AlGaN、InGaAsN、InGaAs等化合物半導(dǎo)體材料是構(gòu)成上述光電器件的重要材料，對(duì)研制先進(jìn)光電器件具有重要意義，故GaN、AlGaN、InGaAsN、InGaAs等新型化合物半導(dǎo)體材料的開發(fā)和研制備受人們重視。目前，通常采用金屬有機(jī)氣相沉積技術(shù)(MOCVD)來制備上述化合物半導(dǎo)體材料，金屬有機(jī)氣...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。