技術(shù)編號：12749692
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于固體電子晶體管器件領(lǐng)域，具體涉及一種納米異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管及其制備方法。背景技術(shù)金屬‐氧化物‐半導(dǎo)體(metal‐oxide‐semiconductor,MOS)場效應(yīng)晶體管(field‐effect‐transistor,FET)是構(gòu)建現(xiàn)代集成電路的基礎(chǔ)。場效應(yīng)晶體管通過柵電壓來實現(xiàn)開關(guān)，其關(guān)斷速度由亞閾值擺幅來描述，亞閾值擺幅越小，意味著晶體管的關(guān)斷速度越快。對于常規(guī)的MOSFET器件,其亞閾值擺幅為熱激發(fā)載流子濃度所限制，在室溫下的極限值為60毫伏/量級，而一般情況下，由于柵效率...
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