技術(shù)編號(hào)：12744098
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功能材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硫化鎘陶瓷靶材的制備方法。背景技術(shù)硫化鎘屬于Ⅱ‐Ⅳ族化合物，室溫下禁帶寬度為2.42ｅＶ，寬禁帶直接躍遷型半導(dǎo)體材料。CdS有立方和六方兩種晶體結(jié)構(gòu)，六方結(jié)構(gòu)高溫穩(wěn)定、密度較高，是CdS薄膜所需晶型。CdS對(duì)大部分可見光具有透過性，在太陽能電池中的應(yīng)用主要用于制備CdS／Cu2S電池。CdS／Cu2S電池是研究較早的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，主要有真空鍍膜法和燒結(jié)法兩種制備工藝。CdS／CIGS電池中CdS不僅作為電池的N極半導(dǎo)體材料，形成ＰＮ結(jié)，產(chǎn)生光電效應(yīng)，而...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。