技術(shù)編號(hào)：12741653
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于無機(jī)材料拋光粉的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超細(xì)氧化鋁拋光粉的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)隨著社會(huì)進(jìn)步和工業(yè)技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品表面的質(zhì)量要求在不斷提高，表面平坦化技術(shù)也在不斷發(fā)展，如最初半導(dǎo)體基片大多采用機(jī)械拋光的平整方法，但得到的表面損傷極其嚴(yán)重；各種沉淀技術(shù)也曾在集成電路工藝中獲得應(yīng)用，但均屬于局部平面化技術(shù)，其平坦化能力從幾微米到幾十微米不等，不能滿足尺寸微小的全局平面化要求。1991年IBM首次將化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)成功地應(yīng)用到64MbDRAM的生產(chǎn)中，之后各種電子器件先后引進(jìn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。