技術(shù)編號：12725221
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于FINFET架構(gòu)的用固態(tài)擴(kuò)散源摻雜的隔離阱本申請為分案申請，其原申請是于2016年2月25日(國際申請日為2013年9月25日)向中國專利局提交的專利申請，申請?zhí)枮?01380079126.6，發(fā)明名稱為“用于FINFET架構(gòu)的用固態(tài)擴(kuò)散源摻雜的隔離阱”。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施例總體上涉及集成電路(IC)，并且更具體而言涉及FinFET的阱雜質(zhì)摻雜。背景技術(shù)單片IC一般包括若干晶體管，例如制造于平面襯底(例如硅晶片)之上的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。片上系統(tǒng)(SoC)架構(gòu)在模...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。