技術(shù)編號(hào):12725179
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,存儲(chǔ)器件越來(lái)越多的應(yīng)用到人們的工作以及日常生活當(dāng)中,為人們的工作以及日常生活帶來(lái)了巨大的便利。目前,存儲(chǔ)器已經(jīng)逐步從簡(jiǎn)單的平面結(jié)構(gòu)發(fā)展為復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。如圖1所示,三維存儲(chǔ)器通常包括疊層結(jié)構(gòu)110和貫穿該多層膜結(jié)構(gòu)的多個(gè)深槽120,這種結(jié)構(gòu)可以通過(guò)多層薄膜沉積形成疊層結(jié)構(gòu)后進(jìn)行高深寬比的深槽刻蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)。現(xiàn)有技術(shù)中,采用深槽刻蝕工藝形成的器件良率不高。發(fā)明內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件...
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