技術(shù)編號(hào)：12699111
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及為了形成用于驅(qū)動(dòng)例如大型液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器等的薄膜晶體管的氧化物半導(dǎo)體層而使用的由氧化物燒結(jié)體形成的濺射靶材。背景技術(shù)以往，對(duì)于由薄膜晶體管(以下稱為“TFT”)驅(qū)動(dòng)的方式的液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器等顯示裝置，在TFT的溝道層采用非晶質(zhì)硅膜、結(jié)晶硅膜是主流的。而且，伴隨顯示器的高清晰化的要求，氧化物半導(dǎo)體作為TFT的溝道層中使用的材料而備受關(guān)注。例如包含In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)和O(氧)的氧化物半導(dǎo)體膜(以下稱為“I-G-Z-O薄膜”)具有優(yōu)異的TFT特性而開始實(shí)用...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。