技術(shù)編號：12678658
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，是涉及一種新型抗單粒子翻轉(zhuǎn)的SRAM位單元。背景技術(shù)為了滿足用戶對計算能力日益增長的需求，半導體工藝節(jié)點快速減小。半導體器件尺寸減小，導致晶體管節(jié)點電容的降低，而與此同時，電路的供電電壓也在相應降低，于是節(jié)點上存儲的電荷量更是急劇衰減。在這種情況下，單粒子事件（SingleEventPhenomena）引起的軟錯誤（SoftError）不僅僅在空間應用中被重點考慮，在地面應用中也逐漸被重視。片上SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）一般占據(jù)片上大部分面積，因此，成為發(fā)生...
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