技術(shù)編號：12614518
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及OLED器件封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜封裝方法。背景技術(shù)薄膜封裝方法繁多，目前主要采用形成有機無機復(fù)合結(jié)構(gòu)作為基本的薄膜封裝方法。采用這種薄膜封裝方法得到的薄膜封裝結(jié)構(gòu)中，發(fā)揮水氧阻隔作用的主要是無機層，因此提高無機層的水氧阻隔效果對于薄膜封裝的封裝效果來說至關(guān)重要。早期無機層采用物理氣相沉積(PVD)的方式成膜，薄膜致密性比較差，異物覆蓋性能不好，逐漸被其他成膜方式取代。目前采用的原子層沉積(ALD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)方式獲得的薄膜具有良好的水氧阻隔效果，應(yīng)用較為廣泛。但是采用...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。