技術(shù)編號(hào):12613990
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往,具有被稱為柵極屏蔽(ShieldGate)構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置已被普遍認(rèn)知(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。以往的半導(dǎo)體裝置900如圖21(a)所示,包括:半導(dǎo)體基體910,包含:n+型漏極區(qū)域912、n-型漂移區(qū)域914、p型基極區(qū)域916、以及n+型源極區(qū)域918;溝槽(Trench)922,具有:被形成在半導(dǎo)體基體910內(nèi),并且與n-型漂移區(qū)域914相鄰接的槽底、以及與p型基極區(qū)域916以及n-型漂移區(qū)域914相鄰接的側(cè)壁,且從平面上看被形成為條紋(Stripe)狀...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。