技術(shù)編號(hào)：12613887
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，例如涉及能夠合適地利用于具備絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor：IGBT)的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)作為導(dǎo)通電阻低的IGBT而廣泛使用溝槽柵極型IGBT，開發(fā)了如下IE(InjectionEnhancement)型IGBT，該IE型IGBT在單元形成區(qū)域中，交替地配置與發(fā)射極電極連接的有源單元區(qū)域以及包括浮置區(qū)域的無源(inactive)單元區(qū)域，從而能夠利用IE效應(yīng)。IE效應(yīng)在IGBT的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)使得從發(fā)射極電極側(cè)難以排出空穴，從...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。