技術(shù)編號：12575920
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于環(huán)氧灌封膠及其制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種耐高溫環(huán)氧灌封膠及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù)IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)具有高頻率、高電壓、大電流等優(yōu)點(diǎn)，其用途很廣，尤其是大功率的IGBT，它在變頻調(diào)速、逆變器、牽引傳動(dòng)、照明電路等領(lǐng)域得到了非常廣泛地應(yīng)用，隨著我國對IGBT產(chǎn)業(yè)投入的增大和IGBT的高頻大功率化發(fā)展，對IGBT模塊封裝材料的要求也逐漸提升。環(huán)氧樹脂的固化物具有良好的黏著性、電氣絕緣性、耐濕性和耐化學(xué)性等優(yōu)良性能，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。