技術(shù)編號：12575901
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。晶片加工用臨時粘合構(gòu)件、晶片加工用層疊體以及薄晶片的制造方法相關(guān)申請的交叉引用這一非臨時申請根據(jù)35U.S.C.§119(a)要求2015年6月30日在日本提交的專利申請?zhí)?015-131064的優(yōu)先權(quán)，其整體內(nèi)容以引用方式并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及用于晶片加工的臨時粘合構(gòu)件，晶片加工用層疊體以及薄晶片的制造方法。背景技術(shù)為了獲得更高密度及容量，三維半導(dǎo)體封裝變得至關(guān)重要。三維半導(dǎo)體封裝技術(shù)是通過打薄半導(dǎo)體芯片，并將這些芯片以多層結(jié)構(gòu)堆疊同時設(shè)置穿透硅通孔(TSV)互連體的技術(shù)。制造這種封裝...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。