技術(shù)編號(hào)：12571101
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種核殼球狀MoO3/MoS2及其制備方法。背景技術(shù)納米二硫化鉬(MoS2)因具有高比表面積以及良好的光、電、潤(rùn)滑、催化性能，使其在電子探針、石油催化、儲(chǔ)氫材料、摩擦潤(rùn)滑以及太陽(yáng)能電池等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。二硫化鉬是直接窄帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度為1.29-1.9eV，接近于太陽(yáng)能電池材料的最佳禁帶寬度(1.45eV)。因此，其在光催化領(lǐng)域，也有較廣泛的應(yīng)用。因無機(jī)納米材料的性能與其制備方法、形貌、尺寸大小等有密切的關(guān)系，故科研人員不斷嘗試各種方法來制備不...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。