技術(shù)編號：12552645
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種清洗架，尤其涉及一種緩慢提升清洗架。背景技術(shù)在電子元件生產(chǎn)過程中，硅片的清洗至關(guān)重要，清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各類污染物，并制做能夠減少表面太陽光反射的絨面結(jié)構(gòu)，且清洗的潔凈程度直接影響著電池片的成品率和可靠率。制絨是制造晶硅電池的第一道工藝，又稱“表面織構(gòu)化”。有效的絨面結(jié)構(gòu)使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高電池的性能。現(xiàn)有技術(shù)中通過在鹽酸槽中同時引入鹽酸管道與氫氟酸管道，在氫氟酸槽中同時引入氫氟酸管道與鹽酸管道，從而可方便地獲...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。