技術(shù)編號(hào)：12514144
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有低K金屬間電介質(zhì)以供減小寄生電容的MRAM集成公開領(lǐng)域所公開的實(shí)施例涉及高級(jí)設(shè)備節(jié)點(diǎn)中電阻式存儲(chǔ)器(諸如磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM))的集成。更具體而言，諸示例性方面涉及具有改進(jìn)的機(jī)械穩(wěn)定性和減小的寄生電容的電阻式存儲(chǔ)器的集成。背景磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是使用磁性元件的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。MRAM作為下一代存儲(chǔ)器技術(shù)正在得到普及，該技術(shù)用于要求低成本和高速度的眾多半導(dǎo)體設(shè)備應(yīng)用。若干類型的MRAM在本領(lǐng)域中是公知的，并且MRAM操作可使用慣用的各種各樣的MRAM的示例——自旋轉(zhuǎn)移矩...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。