技術編號：12507730
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種碳被覆硅材料的制造方法。背景技術已知硅材料作為半導體、太陽能電池、二次電池等的構成元件而使用，因此，與硅材料有關的研究正在積極地進行。例如，專利文獻1中記載了一種利用熱CVD將氧化硅用碳被覆而成的硅復合體，記載了一種具備該硅復合體作為負極活性物質的鋰離子二次電池。另外，本發(fā)明人等在專利文獻2中報告了合成使CaSi2與酸反應而除去了Ca的層狀硅化合物，制造在300℃以上加熱該層狀硅化合物而脫去了氫的硅材料，以及具備該硅材料作為活性物質的鋰離子二次電池。此外，本發(fā)明人等在專利文獻3中報...
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