技術編號：12459124
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及極紫外光刻三維掩模，特別是一種基于分離變量降維方法的極紫外光刻三維接觸孔掩模衍射譜的快速仿真方法。背景技術光刻是集成電路制造的核心技術。極紫外光刻(EUVL)被認為是極有前景的下一代光刻技術。光刻仿真是推進極紫外光刻技術研究及發(fā)展的重要工具。掩模衍射譜仿真是光刻仿真的重要組成部分。通過掩模衍射譜仿真可得到照明光經(jīng)過掩模反、衍射后的光場分布，并以此研究掩模衍射對成像的影響，解決與掩模相關的成像問題。由于EUVL采用三維反射式厚掩模，且其曝光波長(13.5nm)與圖像特征尺寸相近，對EUV...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。