技術(shù)編號:12416743
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于無機(jī)納米材料領(lǐng)域,具體涉及一種利用化學(xué)氣相沉積法CVD在多種襯底上生長MoS2二維晶體的方法,可用于制備大面積的單層MoS2材料。背景技術(shù)以二硫化鉬(MoS2)為代表的二維過渡族金屬硫族化合物功能材料憑借獨(dú)特的物理、化學(xué)性質(zhì)使得其在電子器件、光電子器件以及能谷電子學(xué)方面有巨大應(yīng)用,受到了研究人員的青睞。目前制備大面積的單層MoS2主要采用CVD方法,常用的CVD方法使用的鉬源有三氧化鉬(MoO3)、鉬薄膜、四水合鉬酸銨((NH4)6Mo7O24·4H2O)等,目前研究人員最常用的是前驅(qū)...
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