技術(shù)編號：12285542
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在制造半導(dǎo)體裝置過程中的導(dǎo)體或介電材料的蝕刻或沉積過程中使用的等離子體腔室的熱噴涂涂層。特別是，本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體處理室部件的熱輻射率可控涂層。背景技術(shù)半導(dǎo)體處理室用于真空環(huán)境中各種材料的蝕刻過程或沉積。這些腔室能夠產(chǎn)生等離子體以產(chǎn)生高能離子和用于實施蝕刻或沉積功能的化學(xué)反應(yīng)。然而，這些物質(zhì)對于圍繞工作元件的半導(dǎo)體腔室部件通常是具有相當(dāng)?shù)母g性，并且這種腐蝕性可以在腔室內(nèi)部引起粒子的產(chǎn)生，其會污染半導(dǎo)體處理系統(tǒng)和干擾精密處理步驟。涂層被開發(fā)用于為在半導(dǎo)體處理室中所使用的部件提供抗等離...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。