技術(shù)編號(hào)：12275062
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件，具體地，涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的高集成度被期望以滿足消費(fèi)者對(duì)于優(yōu)異性能和低廉價(jià)格的需求。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的情形下，其集成度是確定產(chǎn)品價(jià)格的重要因素。在典型的二維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的情形下，因?yàn)槠浼啥戎饕蓡挝淮鎯?chǔ)單元占據(jù)的面積確定，所以集成度大大受精細(xì)圖案形成技術(shù)的水平影響。然而，使用極其昂貴的工藝設(shè)備來提高圖案精細(xì)度對(duì)提高二維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的集成度設(shè)定了實(shí)際限制。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式提供一種具有高集成密度和高運(yùn)行速度的半導(dǎo)體器件...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。