專利名稱：包括嵌入組件和間隔層的微電子襯底及其形成方法
包括嵌入組件和間隔層的微電子襯底及其形成方法
領(lǐng)域
本發(fā)明的實施例一般涉及微電子制造領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明的實施例涉 及包括其中嵌入有源或無源組件的微電子襯底。
背景
將預(yù)成型的有源或無源組件嵌入微電子襯底用于例如去耦合、RF調(diào)諧或 電壓調(diào)節(jié)應(yīng)用，這需要這種組件在襯底上的精確定位，以實現(xiàn)這些組件上諸如 通孔之類的電觸點至襯底的現(xiàn)有導(dǎo)電互連層的可靠連接。
目前，嵌入的有源和/或無源組件位于襯底的面板尺寸的電介質(zhì)構(gòu)造層上， 且構(gòu)造層隨后被固化。然而，遺憾的是，預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層的粘性性質(zhì)會在 嵌入過程導(dǎo)致顯著的移動，因此導(dǎo)致相對于嵌入組件的明顯的位置誤差。因此， 將組件嵌入微電子襯底的現(xiàn)有技術(shù)方法就可靠電連接和/或這種組件在其被嵌 入的襯底上的物理定位而言是不可預(yù)測的，由此不利地影響性能和成品率。
附圖簡述


圖1是包括核、導(dǎo)電層和電介質(zhì)構(gòu)造層的常規(guī)中間襯底的示意性橫截面
圖2是根據(jù)實施例的包括圖1的中間襯底且其上還具有間隔層的第一中間 結(jié)構(gòu)的示意圖3是包括圖2的結(jié)構(gòu)且其上還具有預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層的第二中間結(jié)構(gòu) 的示意圖4是在設(shè)置嵌入預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層中的組件的過程中包括圖3的結(jié)構(gòu)
的第三中間結(jié)構(gòu)的示意圖5是在固化預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層之后包括圖4的結(jié)構(gòu)的第四中間結(jié)構(gòu)的
示意圖6是包括由圖5的結(jié)構(gòu)形成的微電子襯底的封裝的示意圖；圖7是包括類似于圖6的襯底的微電子襯底的系統(tǒng)的示意圖。 為了簡單且清楚地說明，附圖中的元件不一定是按比例繪制的。例如，為
了清楚起見，某些元件的尺寸可相對于其它元件被放大。在認(rèn)為適當(dāng)?shù)那闆r下，
在附圖中重復(fù)附圖標(biāo)記以指示相對應(yīng)或類似的元件。
詳細(xì)描述
在以下的詳細(xì)描述中，披露了微電子襯底、微電子封裝、形成襯底的方法、 形成封裝的方法以及包括襯底的系統(tǒng)。對其中僅作為說明示出可實施本發(fā)明的 特定實施例的附圖進(jìn)行參考。應(yīng)理解可存在其他實施例且可在不背離本發(fā)明的 精神和范圍的情況下進(jìn)行其它結(jié)構(gòu)改變。
本文中所使用的術(shù)語"在…上"、"到…上"、"在…上方"、"在…下方"以及 "與...相鄰"指的是一個元件相對于另一個元件的位置。如此，設(shè)置在第二元件 上、到其上、上方或下方的第一元件可與第二元件直接接觸或者它可包括一個 或多個介入元件。此外，設(shè)置成與第二元件緊接或相鄰的第一元件可與第二元 件直接接觸或者它可包括一個或多個介入元件。
下面在本文中將參考圖l-7討論這個和其它實施例的方面。然而，不應(yīng)該 將附圖視為限制性的，因為它們意在用于解釋和理解的目的。
首先參考圖6，其示出根據(jù)實施例的包括其中具有嵌入組件104的微電子 襯底102的封裝100，微電子管芯106以公知方式利用焊點101和底層填料101' 倒裝芯片安裝到襯底102上。管芯106的其它安裝結(jié)構(gòu)在實施例的范圍內(nèi)。如 以下進(jìn)一步將詳細(xì)解釋的，諸如圖6所示的封裝IOO之類的根據(jù)實施例的封裝 由于存在至少一個間隔層而與類似的現(xiàn)有技術(shù)封裝不同，該間隔層諸如設(shè)置在 襯底的嵌入組件和下層導(dǎo)電層之間的間隔層138和140，諸如在嵌入組件104 和相應(yīng)的下層導(dǎo)電層114和116之間。與不使用間隔層的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)相比， 根據(jù)實施例的間隔層減少有關(guān)嵌入組件的定位的位置誤差。
更詳細(xì)地參照圖6，封裝100例如可用于根據(jù)應(yīng)用需要將組件104和/或管 芯106耦合到電路板，或者將處理器或處理系統(tǒng)耦合到主板。襯底102包括可 以是市場上可買到的核的核108，其利用例如FR4、 FR5或諸如雙馬來酰亞胺 三嗪(BT)之類的有機(jī)材料作為電介質(zhì)材料。核還可包括帶有銅覆層的玻璃增 強環(huán)氧PCB材料。其它類型的玻璃在實施例的范圍內(nèi)。如圖所示的襯底102還包括導(dǎo)電層110、 112、 114、 116、 118和120以及另外的電介質(zhì)構(gòu)造層122、 124、 126、 128、 130和132，這些層可適應(yīng)關(guān)于如多層襯底結(jié)構(gòu)中通常使用的 這種層的常規(guī)構(gòu)造。在附圖中示意性示出導(dǎo)電層和構(gòu)造層，且應(yīng)該理解這些層 不一定是像示意性描繪中所建議的連續(xù)層，但具有適合于允許多層襯底內(nèi)各層 上電/信號的路由選擇的構(gòu)造，正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易認(rèn)識到的。因此，作 為示例，導(dǎo)電層110-120的每一個可能已經(jīng)被鍍覆到相應(yīng)的構(gòu)造層，然后圖案 化以根據(jù)應(yīng)用需要從其形成跡線，各個跡線層在本文中稱為導(dǎo)電層。類似地， 各個電介質(zhì)構(gòu)造層122-132可能已經(jīng)設(shè)置有穿過其延伸的通孔，諸如通孔134， 以便使相應(yīng)的導(dǎo)電層相互連接。還可根據(jù)應(yīng)用需要設(shè)置如圖所示的穿過核108 的通孔136。如圖6所看到的，構(gòu)造層126和128各自包括嵌入其中的微電子 組件104，組件104的每一個是襯底的具體預(yù)定設(shè)計所指定的有源或無源組件。 在本領(lǐng)域中微電子組件嵌入諸如層126或128之類的電介質(zhì)構(gòu)造層是公知的。 就如圖6的實施例所示的電介質(zhì)構(gòu)造層126和128包括嵌入其中的微電子組件 來說，在下文中可將它們稱為嵌入微電子構(gòu)造層126和128。微電子組件104 可包括預(yù)成型有源或無源組件。有源組件可包括例如晶體管、MOSFET、結(jié)型 二極管等。無源組件可包括例如電容器、電感器、電阻器等。微電子組件104 可包括用于去耦合、射頻調(diào)諧或電壓調(diào)節(jié)的組件，正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所認(rèn) 識到的。就導(dǎo)電層114和116在與嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層相鄰意義上位于嵌入電介 質(zhì)構(gòu)造層126和128中相應(yīng)的一個之下來說，導(dǎo)電層114和116有時在此可被 稱為下層導(dǎo)電層114和116。電介質(zhì)構(gòu)造層122、 124、 126、 128、 130和132 例如可由聚合物電介質(zhì)材料制成，包括例如ABF，如ABFGX13。
仍參照圖6，根據(jù)所示實施例，襯底102還包括分別使嵌入構(gòu)造層126和 128的每一個與相應(yīng)的下層導(dǎo)電層114和116隔離的間隔層138和140。各個 間隔層可由在固化期間其收縮量低于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料且在其預(yù)固化形 式和固化期間其粘性高于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料的材料制成。嵌入電介質(zhì)構(gòu)造 層的材料在其處于該材料完全固化前的階段時處于如本文所使用的"預(yù)固化" 形式，在此時將產(chǎn)生嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層的材料。因此，在諸如層126和128之 類的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層的固化期間，盡管嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層可在固化期間或之 后收縮和流動，但根據(jù)實施例間隔層的材料可在該固化期間收縮得較少且流動得較少，這樣確保在實現(xiàn)層126和128的固化之后嵌入在嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層中
的微電子組件的更可靠的定位。根據(jù)實施例的間隔層可進(jìn)一步(l)由適合于諸
如通過層疊于其上或通過本領(lǐng)域的技術(shù)人員認(rèn)識到的其它接合工藝與襯底的
下層導(dǎo)電層接合的材料制成；(2)具有粘性，適合于使間隔材料能夠在襯底的下 層導(dǎo)電層中存在的間斷內(nèi)流動；(3)具有在與其對應(yīng)的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層的介電 常數(shù)的約20%內(nèi)的介電常數(shù)，且優(yōu)選在與其對應(yīng)的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層的介電常 數(shù)的約5%和約20%之間的百分比內(nèi)；(4)由其固化溫度低于或等于預(yù)固化電 介質(zhì)材料的固化溫度的材料制成；和/或(5)由適合于激光鉆孔以形成通孔的材 料制成。根據(jù)一個實施例，間隔層的材料可具有基本等于與其對應(yīng)的嵌入電介 質(zhì)構(gòu)造層的介電常數(shù)的介電常數(shù)。根據(jù)優(yōu)選實施例，間隔層138和140由預(yù)浸 材料制成，諸如舉例而言具有硅或玻璃填料的聚酰胺預(yù)浸料或環(huán)氧樹脂預(yù)浸 料。在間隔層包括根據(jù)實施例的預(yù)浸料的情況下，特定類型的預(yù)浸料的選擇可 取決于應(yīng)用要求，諸如以上列出的關(guān)于間隔層的材料的要求(l)-(5)。實施例可 構(gòu)想到使用預(yù)浸料(GX13-PP)連同ABF(GX13)作為電介質(zhì)構(gòu)造層覆蓋在其上。 根據(jù)實施例預(yù)浸料中顆粒物質(zhì)的存在——諸如氧化硅顆粒的存在——使得預(yù) 浸料在嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層的固化之前和期間比相應(yīng)的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料 更有粘性。實施例不限于使用由單種材料制成的間隔層，而是在其范圍內(nèi)包括 由貫穿其體積的不同材料制成的間隔層，諸如包括多個不同材料的子層的間隔 層。
間隔層有利地允許保持其間夾入給定的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層的兩個連續(xù)導(dǎo) 電層之間的預(yù)定隔離。預(yù)定的隔離指的是上述兩個連續(xù)導(dǎo)電層之間存在的所有 層的總厚度。在下文中，為了便于參考，兩個連續(xù)導(dǎo)電層之間的所有層的全體 將被稱為"組件支承層"，其經(jīng)由圖6中的示例示為包括間隔層138和嵌入電介 質(zhì)構(gòu)造層126的組件支承層142或包括間隔層140和嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層128的 組件支承層144。根據(jù)實施例的預(yù)定隔離具體地指適合于在襯底內(nèi)實現(xiàn)期望信 號完整性的組件支承層的最小厚度。預(yù)定隔離的示例性值是約30微米。這種 最小厚度可尤其根據(jù)組件支承層的介電常數(shù)來確定。對于"有效介電常數(shù)"，在 此時描述的上下文中其含義是適用于組件 承層的介電常數(shù)的值，好像組件支 承層由貫穿其體積的一種材料形成一樣。在確定預(yù)定隔離時，嵌入組件的電容和電阻兩者都可被考慮在內(nèi)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到要求電阻相對較高以 便防止高漏電，且要求電容/介電常數(shù)相對較低以防止高信號阻抗。然后可根據(jù) 阻抗匹配得出預(yù)定隔離的確定，這可通過確定沿穿過襯底的信號路徑?jīng)]有顯著 的阻抗變化來產(chǎn)生。阻抗匹配在領(lǐng)域中是公知的。選擇具有與電容器電介質(zhì)構(gòu) 造層的介電常數(shù)相似的介電常數(shù)的材料的間隔層將使間隔層能有效地替換用 于電用途的電容器電介質(zhì)構(gòu)造層。確在定預(yù)定隔離時的另一個因素是通過確保 間隔層厚至足以進(jìn)入層114中存在的間斷來考慮下層導(dǎo)電層114的密度和厚
度。使用根據(jù)實施例的諸如間隔層138和140之類的間隔層允許保持如上限定 的預(yù)定隔離同時有利地分別減小諸如層126和128之類的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層的 厚度。較少的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層連同使用間隔層有利地導(dǎo)致組件支承層在嵌入 電介質(zhì)構(gòu)造層的固化期間粘性流動減少，由此帶來嵌入組件在最終產(chǎn)品中的更 可靠的定位。根據(jù)實施例，間隔層可具有約為組件支承層的30%至約70%的厚 度。
接下來參考圖1-5，其示出諸如上述圖6的襯底102之類的襯底的不同形 成階段。盡管圖1-5示出在諸如圖1的中間襯底103之類的中間襯底的一側(cè)上 設(shè)置包括間隔層和嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層的組件支承層，但應(yīng)該理解關(guān)于圖1-5描 述的過程可用于在中間襯底的兩側(cè)上設(shè)置組件支承層。此外，關(guān)于圖l-5描述 的過程同樣可用于在中間襯底的任意給定側(cè)上提供任意數(shù)量的組件支承層，正 如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所認(rèn)識到的。就圖l-5所示的結(jié)構(gòu)表示諸如圖6的襯底105 之類的襯底的制造階段來說，對應(yīng)于圖6中的類似組件的圖1-5中的組件利用 類似的附圖標(biāo)記來指示。還應(yīng)注意，為了圖示清楚起見從圖l-5的結(jié)構(gòu)中省略 了圖6所示的導(dǎo)電通孔的描繪。
首先參照圖1，方法實施例包括設(shè)置諸如中間襯底103之類的中間襯底。 對于"中間襯底"，在此時描述的上下文中其含義是其上設(shè)置嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層 之前的多層襯底結(jié)構(gòu)。圖1中的中間襯底包括核層108、導(dǎo)電層110、 112、 114 和116、以及上面已經(jīng)參考圖6的實施例描述的電介質(zhì)構(gòu)造層122和124。設(shè) 置諸如襯底103之類的中間襯底在本領(lǐng)域中是公知常識，因此在此處將不描述 其制造。設(shè)置如通過圖1的示例所示的中間襯底需要設(shè)置導(dǎo)電層114，該導(dǎo)電 層114對應(yīng)于如上關(guān)于圖6所描述的下層導(dǎo)電層114。
10接下來參照圖2，方法實施例包括將諸如間隔層138的間隔層設(shè)置在諸如 下層導(dǎo)電層114之類的下層導(dǎo)電層上。優(yōu)選地，如上關(guān)于圖6所指出的，間隔 層包括預(yù)浸層。間隔層138可以公知的方式層疊在下層導(dǎo)電層114上。根據(jù)優(yōu) 選實施例，設(shè)置間隔層包括將預(yù)浸層138層疊在下層導(dǎo)電層114上。根據(jù)實施 例，預(yù)浸層的層疊可發(fā)生在約100攝氏度至約150攝氏度的溫度范圍內(nèi)。間隔 層可取決于間隔層的材料以任何其它公知的方式設(shè)置在下層導(dǎo)電層上，諸如通 過使用旋涂/噴涂和固化技術(shù)。在導(dǎo)電層上層疊預(yù)浸層的工藝參數(shù)的確定將尤其 取決于所使用的預(yù)浸材料的類型，正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所認(rèn)識到的。然而， 實施例不限于經(jīng)由層疊設(shè)置間隔層，且在其范圍內(nèi)包括根據(jù)本領(lǐng)域的技術(shù)人員 將認(rèn)識到的將一層設(shè)置在另一層上的公知方法中的任一種來設(shè)置間隔層。在設(shè) 置間隔層138期間，優(yōu)選地，間隔層具有允許其材料在下層導(dǎo)電層114表面上 的不規(guī)則之間流動的粘性。在設(shè)置間隔層138之后，間隔層可按公知方式設(shè)置 導(dǎo)電通孔(圖6所示)，諸如經(jīng)由激光鉆孔和電鍍。
接下來參照圖3，方法實施例包括在諸如間隔層138之類的間隔層上設(shè)置 諸如預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層146之類的預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層。圖3所示的預(yù)固化 電介質(zhì)構(gòu)造層146處于其"預(yù)固化"形式，即如上所述處于在將組件104嵌入其 中之后其完全固化之前的階段(將關(guān)于圖4和5進(jìn)一步詳細(xì)描述)。預(yù)固化電 介質(zhì)構(gòu)造層146可對應(yīng)于以上關(guān)于圖6所描述的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層126列出的 任一種可能材料的預(yù)固化形式。優(yōu)選地，預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層146以公知方式 層疊在間隔層138上。優(yōu)選地，預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層146可以公知方式部分固 化，以便在將104組件嵌入其中之前和期間增加其粘性。
接下來參照圖4，方法實施例包括在諸如層146的預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層內(nèi) 嵌入諸如組件104之類的有源或無源組件。嵌入可根據(jù)用于將有源或無源組件 嵌入電介質(zhì)層的任一種常規(guī)方法進(jìn)行，諸如通過使用安裝器148。
接下來參照圖5，方法實施例包括在嵌入之后固化預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層， 諸如固化層146。固化可根據(jù)用于固化電介質(zhì)材料的任一種常規(guī)方法來進(jìn)行。 例如，可將圖4所示結(jié)構(gòu)置于約200攝氏度的溫度范圍內(nèi)的固化爐中，以便以 公知方式導(dǎo)致電介質(zhì)層146的固化。預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層146的固化得到如上 關(guān)于圖6所述的嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層126。預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層146的固化還可 導(dǎo)致間隔層的固化。在固化之前和期間，預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層和間隔層兩者可
11表現(xiàn)出某種流動性，且組件104可沉入預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層，且在某些實施例
中沉入如圖5所示的間隔層。在固化之后，嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層可按公知方式設(shè) 置導(dǎo)電通孔(圖6所示)，諸如經(jīng)由激光鉆孔和電鍍。固化之后，可將諸如附 加導(dǎo)電層和電介質(zhì)構(gòu)造層之類的附加層以常規(guī)方式設(shè)置在嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層 126上，并按常規(guī)方式設(shè)置導(dǎo)電通孔，以得到類似于圖6的襯底102的襯底。
有利地，實施例在多層襯底的下層導(dǎo)電層和嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層之間設(shè)置間 隔層以便減少嵌入在構(gòu)造層中的組件的位置誤差同時保持其間夾入嵌入電介 質(zhì)構(gòu)造層的兩個連續(xù)的導(dǎo)電層之間的預(yù)定隔離。此外，有利地，實施例提供位 置誤差的減小同時允許將現(xiàn)有且已建立的工藝用于形成多層襯底。此外，有利 地，實施例允許將足夠的電介質(zhì)構(gòu)造材料用作嵌入構(gòu)造層以提供嵌入組件對襯 底的其余部分的附加粘性。
參照圖7，示出其中可使用本發(fā)明的實施例的很多可能的系統(tǒng)900中的一 個。在一個實施例中，電子組件1000可包括諸如圖6的封裝100之類的微電 子封裝。組件1000還可包括微處理器。在替換實施例中，電子組件1000可包 括專用IC (ASIC)。芯片組(例如圖形、聲和控制芯片組)中存在的集成電 路還可根據(jù)本發(fā)明的實施例封裝。
對于圖7描述的實施例，系統(tǒng)900還可包括如圖所示的經(jīng)由總線1010相 互耦合的主存儲器1002、圖形處理器1004、大容量存儲設(shè)備1006和/或輸入/ 輸出模塊1008。存儲器1002的示例包括但不限于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM) 和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。大容量存儲設(shè)備1006的示例包括但不限 于硬盤驅(qū)動、緊致盤驅(qū)動(CD)、數(shù)字通用盤驅(qū)動(DVD)等。輸入/輸出模 塊1008的示例包括但不限于鍵盤、光標(biāo)控制裝置、顯示器、網(wǎng)絡(luò)接口等?？?線1010的示例包括但不限于外圍控制接口(PCI)總線和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系結(jié)構(gòu)(ISA) 總線等。在各實施例中，系統(tǒng)90可以是無線移動電話、個人數(shù)字助理、口袋 PC、平板PC、筆記本PC、臺式計算機(jī)、機(jī)頂盒、媒體中心PC、 DVD播放器 和服務(wù)器。
已經(jīng)作為示例而不是作為限制介紹了上述各實施例。因此已經(jīng)詳細(xì)描述了 本發(fā)明的實施例，應(yīng)理解由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明不應(yīng)受到以上描述中闡 述的特定細(xì)節(jié)所限制，因為在不背離其精神或范圍的情況下其很多變形是可能 的。
1權(quán)利要求
1.一種微電子襯底包括導(dǎo)電層；設(shè)置在導(dǎo)電電介質(zhì)層上的間隔層；設(shè)置在所述間隔層上的電介質(zhì)構(gòu)造層，所述間隔層由在固化期間其收縮量低于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料且在其預(yù)固化形式和固化期間其粘性高于所述嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料的材料制成；以及嵌入在所述電介質(zhì)構(gòu)造層中的有源或無源微電子組件。
2. 如權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于，所述間隔層包括預(yù)浸層。
3. 如權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于，所述間隔層的厚度在所述間隔 層和組合的所述電介質(zhì)構(gòu)造層的厚度的約30%至約70%之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于，所述預(yù)浸層包括聚酰胺和環(huán) 氧樹脂之一以及填料材料。
5. 如權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于，所述導(dǎo)電層是第二導(dǎo)電層， 且所述電介質(zhì)構(gòu)造層是第二電介質(zhì)構(gòu)造層，所述襯底還包括核層、設(shè)置在所述 核層上的第一導(dǎo)電層以及設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上的第一電介質(zhì)構(gòu)造層，所述 第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一電介質(zhì)構(gòu)造層上。
6. 如權(quán)利要求5所述的襯底，其特征在于，所述核包括有機(jī)材料。
7. 如權(quán)利要求5所述的襯底，其特征在于，所述電介質(zhì)構(gòu)造層包括ABF。
8. —種微電子封裝，包括微電子襯底，包括 導(dǎo)電層；設(shè)置在導(dǎo)電電介質(zhì)層上的間隔層；設(shè)置在所述間隔層上的電介質(zhì)構(gòu)造層，所述間隔層由在固化 期間其收縮量低于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料且在其預(yù)固化形 式和固化期間其粘性高于所述嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料的材 料制成；以及嵌入在所述電介質(zhì)構(gòu)造層中的有源或無源微電子組件；以及安裝到所述微電子襯底上的微電子管芯。
9. 如權(quán)利要求8所述的封裝，其特征在于，所述間隔層包括預(yù)浸層。
10. 如權(quán)利要求8所述的封裝，其特征在于，所述間隔層的厚度在所述間隔層和組合的所述電介質(zhì)構(gòu)造層的厚度的約30%至約70%之間。
11. 如權(quán)利要求8所述的封裝，其特征在于，所述預(yù)浸層包括聚酰胺和環(huán) 氧樹脂之一以及填料材料。
12. 如權(quán)利要求8所述的封裝，其特征在于，所述導(dǎo)電層是第二導(dǎo)電層， 且所述電介質(zhì)構(gòu)造層是第二電介質(zhì)構(gòu)造層，所述襯底還包括核層、設(shè)置在所述 核層上的第一導(dǎo)電層以及設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上的第一電介質(zhì)構(gòu)造層，所述 第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一電介質(zhì)構(gòu)造層上。
13. 如權(quán)利要求12所述的封裝，其特征在于，所述核包括有機(jī)材料。
14. 如權(quán)利要求12所述的封裝，其特征在于，所述電介質(zhì)構(gòu)造層包括ABF。
15. —種形成微電子襯底的方法，包括設(shè)置導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上設(shè)置間隔層；在所述間隔層上設(shè)置預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層，所述間隔層由在固化期間其收縮量低于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料且在其預(yù)固化形式和固化期間其粘性高于所述嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料的材料制成；將有源或無源組件嵌入在所述預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層中；以及在嵌入之后固化所述預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層以產(chǎn)生嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，設(shè)置間隔層包括設(shè)置預(yù)浸層。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，設(shè)置間隔層包括將所述間 隔層層疊到所述導(dǎo)電層。
18. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，設(shè)置間隔層包括設(shè)置厚度 在所述間隔層和組合的所述電介質(zhì)構(gòu)造層的厚度的約30%至約70%之間的間隔層。
19. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層是第二導(dǎo)電層， 且所述嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層是第二電介質(zhì)構(gòu)造層，所述方法還包括設(shè)置核層；在所述核層上設(shè)置第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層上設(shè)置第一電介質(zhì)構(gòu)造層，其中所述第二導(dǎo)電層 被設(shè)置在所述第一 電介質(zhì)構(gòu)造層上。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述核包括有機(jī)材料。
21. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述電介質(zhì)構(gòu)造層包括ABF。
22. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，設(shè)置預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層 包括將所述預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層層疊到所述間隔層上。
23. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括在嵌入之前部分地 固化所述預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層。
24. —種設(shè)置微電子襯底的方法，包括設(shè)置微電子襯底，包括 設(shè)置導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上設(shè)置間隔層；在所述間隔層上設(shè)置預(yù)固化電介質(zhì)構(gòu)造層，所述間隔層由在固 化期間其收縮量低于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料且在其預(yù)固化形式 和固化期間其粘性高于所述嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料的材料制 成；將有源或無源組件嵌入在所述電介質(zhì)構(gòu)造層中；以及 在嵌入之后固化所述電介質(zhì)構(gòu)造層； 將微電子管芯安裝到所述微電子襯底上。
25. 如權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述間隔層包括預(yù)浸層。
26. 如權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述間隔層的厚度在所述 間隔層和組合的所述電介質(zhì)構(gòu)造層的厚度的約30%至約70%之間。
27. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述預(yù)浸層包括聚酰胺和環(huán) 氧樹脂之一以及填料材料。
28. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層是第二導(dǎo)電層，且所述電介質(zhì)構(gòu)造層是第二電介質(zhì)構(gòu)造層，所述襯底還包括核層、設(shè)置在所述 核層上的第一導(dǎo)電層以及設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上的第一電介質(zhì)構(gòu)造層，所述 第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一電介質(zhì)構(gòu)造層上。
29. —種系統(tǒng)，包括電子組件，包括 微電子襯底，包括 導(dǎo)電層；設(shè)置在導(dǎo)電電介質(zhì)層上的間隔層；設(shè)置在所述間隔層上的電介質(zhì)構(gòu)造層，所述間隔層由在固化 期間其收縮量低于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料且在其預(yù)固化形 式和固化期間其粘性高于所述嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料的材 料制成；以及嵌入在所述電介質(zhì)構(gòu)造層中的有源或無源微電子組件；以及 耦合到所述電子組件的主存儲器。
30. 如權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述間隔層包括預(yù)浸層。 全文摘要
微電子襯底、它的形成方法和包括它的系統(tǒng)。微電子襯底包括導(dǎo)電層；設(shè)置在導(dǎo)電電介質(zhì)層上的間隔層；設(shè)置在間隔層上的電介質(zhì)構(gòu)造層，該間隔層由在固化期間其收縮量低于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料且在其預(yù)固化形式和固化期間其粘性高于嵌入電介質(zhì)構(gòu)造層材料的材料制成；以及嵌入在電介質(zhì)構(gòu)造層中的有源或無源微電子組件。
文檔編號H01L21/31GK101553904SQ200780045471
公開日2009年10月7日 申請日期2007年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月11日
發(fā)明者H·西赫, I·薩拉瑪 申請人:英特爾公司