技術(shù)編號：12251418
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于形成驅(qū)動例如大型液晶顯示器、有機EL顯示器等的薄膜晶體管的氧化物半導體層而使用的氧化物濺射靶材。背景技術(shù)以往，對于由薄膜晶體管(以下稱為“TFT”。)進行驅(qū)動的方式的液晶顯示器、有機EL顯示器等的顯示裝置而言，在TFT的通道層中采用非晶質(zhì)硅膜、結(jié)晶硅膜是主流的。而且，伴隨顯示器的高清晰化的要求，氧化物半導體作為TFT的通道層中使用的材料而備受關(guān)注。例如，專利文獻1中公開的包含In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)和O(氧)的氧化物半導體膜(以下稱為“I-G-Z-O薄膜”。)具有優(yōu)異的T...
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