技術(shù)編號：12180368
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明構(gòu)思涉及集成電路器件，更具體地，涉及包括鰭型場效應(yīng)晶體管(FET)的集成電路器件。背景技術(shù)隨著電子技術(shù)已經(jīng)被發(fā)展，半導體器件已經(jīng)快速地被制作得更小。由于期望半導體器件具有操作準確性和高運行速度兩者，所以正在發(fā)展用于優(yōu)化半導體中包括的晶體管的結(jié)構(gòu)的方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明構(gòu)思的一些實施方式提供具有能夠改善包括在高度集成的半導體器件中的高度集成的鰭型場效應(yīng)晶體管(FET)的性能的結(jié)構(gòu)的集成電路器件。本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施方式提供一種集成電路器件，該集成電路器件包括：鰭型有源區(qū)，從基板突出；多個襯層...
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