技術(shù)編號(hào):12159817
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及可流動(dòng)膜和形成可流動(dòng)膜的方法。背景技術(shù)通常,淺溝槽隔離(STI)用于使半導(dǎo)體晶圓上的有源區(qū)彼此分隔和隔開(kāi)。這些STI歷史上通過(guò)蝕刻溝槽形成,所述溝槽有時(shí)稱(chēng)為間隙,使用諸如氧化物的介電材料過(guò)填充溝槽,然后使用諸如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)或蝕刻的工藝去除任何過(guò)多的電介質(zhì)以去除溝槽外部的電介質(zhì)。該電介質(zhì)有助于使有源區(qū)彼此電隔離。然而,由于電路密度繼續(xù)增加,這些間隙的寬度減小,從而增加了間隙的縱橫比,所述縱橫比通常被定義為間隙高度除以間隙寬度。結(jié)果,使用間隙填充介電材料完全填充這些狹窄和深...
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