技術編號：12159572
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。導電糊、制備方法和使用其的太陽能電池電極相關申請的交叉引用本非臨時申請根據35U.S.C.§119(a)要求于2015年8月17日在日本提交的專利申請No.2015-160562的優(yōu)先權，由此通過引用將其全部內容并入本文。技術領域本發(fā)明涉及對于制造太陽能電池電極有效的導電糊、該導電糊的制備方法和其中使用該導電糊的太陽能電池電極。背景技術使用結晶硅襯底的太陽能電池具有如下構成，其中在該硅襯底的一側形成n+層并且在另一側形成p+層，在該硅襯底的表面上形成由氮化硅或氧化鈦制成的減反射涂層，并且在該減反...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。