技術(shù)編號：12158127
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體芯片制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種非作業(yè)時(shí)間長度確定方法及其系統(tǒng)。背景技術(shù)半導(dǎo)體的制造工藝是由多種單道工藝組合而成的，單道工藝通常歸為以下三類：(1)薄膜制備工藝：包括外延生長、氧化工藝、薄膜淀積工藝，如制造金屬、絕緣層等；(2)圖形轉(zhuǎn)移工藝：包括管科工藝和刻蝕工藝；(3)摻雜工藝：包括擴(kuò)散工藝和離子注入工藝。在制造過程需要采用各種設(shè)備，如用于生長Si3N4的設(shè)備就是Si3N4生長爐管(LPCVD)。這些設(shè)備通過自動(dòng)化系統(tǒng)進(jìn)行控制，如生產(chǎn)執(zhí)行系統(tǒng)(ManufacturingExe...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。