技術(shù)編號：12142732
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文中描述的實施例總體上涉及集成電路(IC)和單片式半導(dǎo)體器件，并且更具體而言，涉及單片式反熔絲。背景技術(shù)單片式IC通常包括多個晶體管，例如制造在平面襯底(例如，硅晶圓)上方的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。IC通常包括至少一個反熔絲。反熔絲是以高電阻啟動的電氣器件，并且被設(shè)計為當(dāng)器件兩端的電壓超過閾值水平時永久地創(chuàng)建導(dǎo)電路徑。隨著晶體管尺寸從一代縮放到另一代，縮小反熔絲程序電壓是有利的。MOS反熔絲設(shè)計通常采用基于MOS晶體管的結(jié)構(gòu)，如圖1A中描繪的。設(shè)置在襯底5上的MOS反...
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