技術(shù)編號(hào)：12131739
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域，具體涉及一種充電電路及具有該充電電路的電子裝置。背景技術(shù)請(qǐng)參閱圖1，目前，電子裝置的低壓快充方案大多是通過兩個(gè)相連的MOS(MetalOxideSemiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)管將充電器的VBUS輸出端與電池的VBAT輸入端直接連接。電子裝置的CPU(CentralProcessingUnit，中央處理器)可通過MOS管控制充電線路的通斷，進(jìn)行充電控制。在充電過程中，MOS管的熱量較為集中，溫度較高，現(xiàn)有快充方案未對(duì)其溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)，無法對(duì)其進(jìn)行溫度保護(hù)。另外...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。