技術(shù)編號：12129428
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)申請的交叉引用本申請基于并主張2015年9月11日在先提交的日本專利申請2015-179160號的優(yōu)先權(quán)，在先申請的全部內(nèi)容通過引用而包含于本申請。技術(shù)領(lǐng)域本申請涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)作為使半導(dǎo)體裝置的可靠性劣化的主要原因，已知有由絕緣膜中包含的電荷、存在于半導(dǎo)體層與絕緣膜的界面的界面電荷、從外部侵入的外來電荷等引起的特性變動。絕緣膜中包含的電荷在半導(dǎo)體裝置的動作或者待機過程中在半導(dǎo)體裝置內(nèi)移動，引起半導(dǎo)體裝置的耐壓的變動、漏電流的變動的情況是存在的。發(fā)明內(nèi)容實施方式提供能夠提高...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。