技術(shù)編號：12121451
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及電學領(lǐng)域，尤其涉及電子元件的散熱技術(shù)，特別是一種IGBT模塊散熱器。背景技術(shù)IGBT在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導地位。其已成為新能源汽車控制器中的核心器件，目前正朝著小型化、高功率密度發(fā)展。IGBT模塊主要由芯片、直接覆銅（DBC）陶瓷層和基板構(gòu)成，層間通過焊料焊接，基板一般需要通過導熱硅脂與散熱器相連。芯片、導電端子、柵極端子、引線的上方需要密封材料密封?，F(xiàn)有技術(shù)中，由于基板與散熱器之間的導熱硅脂的傳導系數(shù)較低，使得IGBT模...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。