技術(shù)編號(hào)：12110454
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種ＭＥＭＳ器件制作用硅單晶材料的熱場(chǎng)和制備方法。背景技術(shù)ＭＥＭＳ體硅工藝是指直接在硅片上進(jìn)行加工，獲得有用的部件均為硅材料組成的一種ＭＥＭＳ器件制作工藝。體硅工藝主要追求大質(zhì)量塊、低應(yīng)力和三維加工，鍵合和深刻蝕是體硅工藝的主要技術(shù)內(nèi)容。要求硅片具有精準(zhǔn)的晶向，以保證各向異腐蝕的精確進(jìn)行，得到精良的微結(jié)構(gòu)，同時(shí)要求硅片要具有極低的體微缺陷密度，以保證微觀結(jié)構(gòu)的完整性。為此往往需要使用專用的硅單晶材料用于加工制作，其對(duì)硅單晶材料的要求不僅體現(xiàn)在高晶向精度和良好的電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。