技術(shù)編號：12056995
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體照明技術(shù)，尤其涉及一種消除MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)水氧分子雜質(zhì)的方法。背景技術(shù)MOCVD設(shè)備生產(chǎn)LED外延片利用化學(xué)反應(yīng)生長GaN晶體時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的反應(yīng)廢棄物，這些廢棄物會(huì)附著在腔體的內(nèi)壁、底部及氣流蓋上，因此在生產(chǎn)到一定程度時(shí)需將腔體打開并將廢棄物清理干凈，因?yàn)槿舨粚U棄物清除掉會(huì)影響到晶體生長的質(zhì)量。但在清理廢棄物時(shí)需將反應(yīng)腔體打開，然而在清理反應(yīng)室沉積的廢棄物時(shí)空氣中的水氧分子容易附著在腔體的內(nèi)壁、加熱器、隔離陶瓷塊等部件上。在維護(hù)設(shè)備時(shí)腔體內(nèi)壁在空氣中暴露的時(shí)間越長，水氧分...
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