技術(shù)編號(hào):12018712
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種CdSe/ZnS核殼量子點(diǎn)的制備方法及應(yīng)用,具體涉及一種CdSe/ZnS核殼量子點(diǎn)的制備方法及檢測(cè)痕量爆炸物4-硝基甲苯的應(yīng)用,屬于分析化學(xué)、納米材料技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)納米材料具有不同于傳統(tǒng)固體材料的特殊結(jié)構(gòu)及許多特性,如表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等。量子點(diǎn)又稱半導(dǎo)體納米晶,是一種由II-VI族或III-V族元素組成、尺寸介于1-100nm之間的納米晶粒。由于量子點(diǎn)的粒徑尺寸小,比表面積大,表面含有較多的結(jié)構(gòu)缺陷,從而導(dǎo)致禁帶中的電子陷阱增加,電子或空穴在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。