技術(shù)編號(hào)：12006736
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于生物醫(yī)用薄膜領(lǐng)域，具體涉及可見光響應(yīng)性能的量子點(diǎn)/二氧化鈦復(fù)合納米點(diǎn)陣列及其制備方法。背景技術(shù)近年來，由于現(xiàn)有組織工程方法的局限，細(xì)胞片層組織工程技術(shù)受到人們的廣泛關(guān)注。傳統(tǒng)的溫敏系統(tǒng)通過改變溫度獲得細(xì)胞片層技術(shù)發(fā)展迅速，但缺陷是可能存在有毒化學(xué)物質(zhì)的殘留。改變表面的電荷及親疏水性即可實(shí)現(xiàn)細(xì)胞脫附。因此，利用光改變某種材料表面的親疏水性，是一種更優(yōu)異的獲得細(xì)胞片層的方法。二氧化鈦無(wú)毒，具有優(yōu)異的生物相容性和化學(xué)穩(wěn)定性。銳鈦礦型二氧化鈦的禁帶寬度為3.2eV，紫外光可改變材料表面的親疏水...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。