技術編號：11990301
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型屬于半導體封裝技術領域，特別是涉及一種MOSFET封裝結(jié)構(gòu)。背景技術MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)是利用電場效應來控制半導體的場效應晶體管。由于MOSFET具有可實現(xiàn)低功耗電壓控制的特性，近年來被廣泛應用在大量電子設備中，包括電源、汽車電子、計算機和智能手機中等，受到越來越多的關注。MOSFET器件通過將適當電壓施加至MOSFET器件的柵極而工作，其接通該器件并形成連接MOSFET的源極(source)和漏極(drain)的通道以允許電流流動。在MOSFET器件中，期望在該晶...
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