技術(shù)編號：11966109
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。功率兼容性更高的濺射靶本發(fā)明涉及板定中系統(tǒng)，包括具有支座的板，在這里，該板在室溫和較高溫度下都與所述板和支座的熱脹無關(guān)地在支座內(nèi)被定中，并且該板在支座內(nèi)在較高溫度下可以自由膨脹。本發(fā)明尤其涉及具有框形靶架的靶，其非常適合用在用于靶的高功率脈沖磁控濺射的涂覆源中。背景技術(shù)高功率密度是經(jīng)濟運行濺射方法所必需的。但濺射靶的冷卻在此是很重要的。目前，濺射靶通?；蚴潜恢苯永鋮s，或是被間接冷卻。被直接冷卻的靶例如在圖2的視圖中被示意性示出：為了濺射而在靶表面1a上轉(zhuǎn)化的功率與靶材1b的導(dǎo)熱性相關(guān)地通過導(dǎo)熱被...
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