技術編號：11956317
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于光電子技術領域，具體涉及一種減少大電流下載流子泄露的發(fā)光二級管。背景技術半導體發(fā)光二極管因其具有體積小、耗電低、壽命長和節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點得到了廣泛應用。隨著金屬有機物物化學氣相沉積（MOCVD）外延生長技術的成熟，以（AlxGa1-x）0.5In0.5P材料作為有源區(qū)的LED具有較高的內(nèi)量子效率。（AlxGa1-x）0.5In0.5P發(fā)光二極管一般需要在有源層與P型覆蓋層之間具有較大的帶隙差。然而，對于諸如670nm以下的短波長發(fā)光二極管，要求采用高帶隙的有源層，而更高帶隙且晶格匹配的P...
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