技術編號：11956159
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領域，特別是涉及一種SONOS器件結構。本發(fā)明還涉及所述SONOS器件結構的制造方法。背景技術非揮發(fā)性存儲器(NVM)技術，主要有浮柵(floatinggate)技術、分壓柵(splitgate)技術以及SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)技術。SONOS技術應用廣泛，具有操作電壓低，速度快，容量大等優(yōu)點。但SONOS技術也存在缺陷，即漏端干擾。如圖1所示，SONOS器件所組成的陣列中，當目標存儲單元(target)正在被編程時，未...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。