技術(shù)編號：11955653
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。半導體裝置及半導體裝置的制造方法[相關(guān)申請]本申請享有以日本專利申請2015-110844號(申請日：2015年5月29日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照所述基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實施方式涉及一種半導體裝置及半導體裝置的制造方法。背景技術(shù)為了謀求半導體裝置的省空間化、高性能化及大容量化，有時將半導體芯片積層。存在以下裝置，即為了獲得積層的半導體芯片的電連接，使用被稱為TSV(ThroughSiliconVia，硅穿孔)的貫通電極。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一實施方式提供一種...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。