技術(shù)編號：11925391
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路器件，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件及其靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元和制造方法。背景技術(shù)只要存儲器通電，則靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(靜態(tài)RAM或SRAM)是以靜態(tài)形式保留數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器。SRAM比更多普通的動態(tài)RAM(DRAM)更快并且更可靠。該術(shù)語靜態(tài)來源于它不需要像DRAM一樣刷新的事實(shí)。SRAM用于計算機(jī)高速緩存并且用作顯卡上的隨機(jī)存取存儲器數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的部分。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；第一半導(dǎo)體鰭，設(shè)置在所述襯底上；第二半導(dǎo)體鰭，設(shè)置在所述襯底...
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