技術(shù)編號(hào)：11900446
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種強(qiáng)交換偏置效應(yīng)FeMn合金納米薄膜的制備方法，屬于金屬納米薄膜制備領(lǐng)域。背景技術(shù)交換偏置效應(yīng)是Meikleijohn和Bean于1956年在Co的核殼結(jié)構(gòu)中首先發(fā)現(xiàn)的。鐵磁(FM)/反鐵磁(AFM)界面在外磁場(chǎng)中從高于反鐵磁奈爾溫度冷卻到低溫后，鐵磁層的磁滯回線將沿磁場(chǎng)方向偏離原點(diǎn)，其偏移量被稱為交換偏置場(chǎng)。交換偏置效應(yīng)廣泛應(yīng)用在在低功耗存儲(chǔ)器和自旋電子器件，自旋閥巨磁電阻器件及磁記錄領(lǐng)域。交換偏置效應(yīng)主要存在于以FeMn合金為反鐵磁層的鐵磁(FM)/反鐵磁(AFM)雙層膜中，而且...
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